| Общие характеристики | |
| Socket | LGA775 |
| Ядро | |
| Ядро | Kentsfield |
| Количество ядер | 4 |
| Техпроцесс | 65 нм |
| Частотные характеристики | |
| Тактовая частота | 2667 МГц |
| Системная шина | 1066 МГц |
| Коэффициент умножения | 10 |
| Напряжение на ядре | 1.372 B |
| Кэш | |
| Объем кэша L1 | 64 Кб |
| Объем кэша L2 | 8192 Кб |
| Наборы команд | |
| Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3 |
| Поддержка AMD64/EM64T | есть |
| Поддержка NX Bit | есть |
| Поддержка Virtualization Technology | есть |
| Дополнительно | |
| Типичное тепловыделение | 95 Вт |
| Максимальная рабочая температура | 71 °C |
| Дополнительная информация | Core Stepping G0: тепловыделение 95Вт, максимальная рабочая температура 71C, Core Stepping B3: тепловыделение 105Вт, максимальная рабочая температура 62.2C |