Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273EB0-CK0)
| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество ранков | 2 |
Написать отзыв
Отзывы про Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273EB0-CK0)
Здесь пока никто не писал. Напишите отзыв первым!
Отзывы про Samsung Бренд
Другие модели
Kingston HX316C10F*K2/16
Всего отзывов 6
Kingston HX318C10F*K2/8
Всего отзывов 9
Kingston KVR1333D3S9/4G
Всего отзывов 13
NCP DDR2 800 DIMM 1Gb
Всего отзывов 6
Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb
Всего отзывов 11
