Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1066 МГц |
Объем | 1 модуль 1 Гб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 7 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 9 |
Напряжение питания | 1.5 В |