OCZ OCZ2T800IO1G
| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 2 В |
| Радиатор | есть |
| Дополнительная информация | поддержка технологии Extended Voltage Protection |
Написать отзыв
Отзывы про OCZ OCZ2T800IO1G
Здесь пока никто не писал. Напишите отзыв первым!
Отзывы про OCZ Бренд
Другие модели
Kingston HX316C10F*K2/16
Всего отзывов 6
Kingston HX318C10F*K2/8
Всего отзывов 9
Kingston KVR1333D3S9/4G
Всего отзывов 13
NCP DDR2 800 DIMM 1Gb
Всего отзывов 6
Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb
Всего отзывов 11
