Kingston KVR533D2D8F4/1G
| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | FB-DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 12 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Радиатор | есть |
| Количество ранков | 2 |
| Дополнительная информация | Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно. |
Написать отзыв
Отзывы про Kingston KVR533D2D8F4/1G
Здесь пока никто не писал. Напишите отзыв первым!
Отзывы про Kingston Бренд
Другие модели
Kingston HX316C10F*K2/16
Всего отзывов 6
Kingston HX318C10F*K2/8
Всего отзывов 9
Kingston KVR1333D3S9/4G
Всего отзывов 13
NCP DDR2 800 DIMM 1Gb
Всего отзывов 6
Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb
Всего отзывов 11
