 
					
								 
					
								| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR3 | 
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный | 
| Тактовая частота | 1333 МГц | 
| Пропускная способность | 10600 Мб/с | 
| Объем | 2 модуля по 4 Гб | 
| Поддержка ECC | нет | 
| Буферизованная (Registered) | нет | 
| Низкопрофильная (Low Profile) | да | 
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 9 | 
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 | 
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 | 
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка | 
| Напряжение питания | 1.5 В | 
| Количество ранков | 1 | 
 
			 
			 
			 
			