Hynix DDR2 533 SO-DIMM 512Mb
| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 4, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество ранков | 1 |
Написать отзыв
Отзывы про Hynix DDR2 533 SO-DIMM 512Mb
Здесь пока никто не писал. Напишите отзыв первым!
Отзывы про Hynix Бренд
Hynix
Другие модели
Kingston HX316C10F*K2/16
Всего отзывов 6
Kingston HX318C10F*K2/8
Всего отзывов 9
Kingston KVR1333D3S9/4G
Всего отзывов 13
NCP DDR2 800 DIMM 1Gb
Всего отзывов 6
Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb
Всего отзывов 11
