Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1066 МГц |
Пропускная способность | 8500 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 5 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 2.1 В |
Радиатор | есть |