Corsair CMV4GX3M1A1333C9

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10666 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
Оставить отзыв


Е
Ершов Сева оценил 05.06.2014
Оценка:
Не заметил , обычная память.