Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 533 МГц |
Пропускная способность | 4200 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 4 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.8 В |