Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 400 МГц |
Пропускная способность | 3200 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 3 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 2.6 В |