Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
Тактовая частота | 400 МГц |
Пропускная способность | 3200 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 2.5 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
Напряжение питания | 2.5 В |
Количество ранков | 1 |