Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 400 МГц |
Пропускная способность | 3200 Мб/с |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 3 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 36, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.8 В |
Количество ранков | 2 |