Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 333 МГц |
Пропускная способность | 2700 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 2.5 |