Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 800 МГц |
Пропускная способность | 6400 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 4 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 12 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.95 В |
Радиатор | есть |