Общие характеристики |
Socket | LGA775 |
Ядро |
Ядро | Yorkfield |
Количество ядер | 4 |
Техпроцесс | 45 нм |
Частотные характеристики |
Тактовая частота | 3200 МГц |
Системная шина | 1600 МГц |
Коэффициент умножения | 9 |
Напряжение на ядре | 0.85 B |
Кэш |
Объем кэша L1 | 64 Кб |
Объем кэша L2 | 12288 Кб |
Наборы команд |
Инструкции | MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 |
Поддержка AMD64/EM64T | есть |
Поддержка NX Bit | есть |
Поддержка Virtualization Technology | есть |
Дополнительно |
Типичное тепловыделение | 136 Вт |
Максимальная рабочая температура | 55.5 °C |
Дополнительная информация | напряжение на ядре: 0.85В - 1.3625В |